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AgradeSDNAND是高度集成的閃存，具有串行和隨機接入能力。可在支持SD2.0的設備中使用標準。它可以通過專用串行接口訪問，該接口經過優化，可實現快速和可靠的數據傳輸。產品開發的目的是制造基于SD的存儲芯片界面更穩定，使用場景更豐富。瀚海科技SDNAND可以匹配更多質量穩定、兼容性強的MCU，并且可以完美替代了之前基于SDIO接口的存儲產品。這個產品本身功耗低，更適合手持嚴格的生產工藝使產品更適合適用于多種場景

產品名稱MS42-2280閃存類型TLC接口M.2SATA3.0容量64GB~1TB-gt64GB~2TB順序讀寫(Max)560/520MB/S工作溫度常溫:0~70'C寬溫:-40~85°C尺寸規格80x22x3.4mm保修3年掉電保護可選......

適合PC和移動設備的USB-C接口USB3.2Gen1標準 64GB、128GB、256GB

USBType-C和Type-A雙接口  USB3.2Gen1  64GB、128GB、256GB  高達200MB/秒的讀取速度

H2-SL 工業級SD記憶卡隨機效能表現較以往優于SDH1-SL ，特別搭配兼容UHS-I的設備使用，可展現最佳傳輸速度。除此之外，影片速度等級(VideoSpeedClass)可兼容于常見攝錄像功能或設備所需的V10,V30規格，適用于高分辨率或高畫質影片錄制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，優化4K小檔案的隨機讀寫IOPS效能，IOPS 的讀寫效能至少達到1,900/800 。 H2-SL搭載SD5.1接口9Pin接口設計，專為50MHzor100MHz最大運作效能而開發，可在SDMode 和SPIMode間交換使用，亦可向下兼容至SD2.0規格產品。同時，H2-M 工業級SD記憶卡能在最低電量下執行數據偵錯和校正的功能。 

R1SD內存卡用原裝高品質SLC芯片打造并經受了苛刻的環境測試。結合頁面對齊固件使用，它可將隨機讀寫速度提高每秒數千萬字節，使其更有效地處理隨機寫入。固件技術的附加值功能還顯著降低了寫入放大因數(WAF)，延長了產品壽命和耐用性。此外，寫保護等定制的固件優化工具可保護存儲的內容，確保數據安全和完整性。宇瞻R1系列SD內存卡兼容最新的SD3.0接口，盡管外形小巧仍可提供1GB到8GB 容量并在耗電方面展現出極佳的性能。

CXL內存模塊克服了三大瓶頸：1)CPU可用內存帶寬受限，2) 內存資源利用率低，3)內存與其他系統組件間的傳輸延遲。 以下是CXL內存模塊的優勢：?隨插即享單條64GB大容量：每條內存模塊可提供高達64GB的存取容量以及32GB/s帶寬，無需額外的DIMM插槽，即可將內存擴充至AI服務器所需的容量。?內存池技術，方便資源共享：藉由內存池技術，同一層架中不同服務器的CPU、加速器等操作數件可共享內存資源，減少資源冗余、有效提升系統效率。?優化的通訊協議與硬件架構：透過CXL.io與CXL.mem協議、以及PCIeGen5x8接口，減少計算機零件之間因不同協議與接口造成的復雜性與延遲，為AI和機器學習賦能。作為率先推出E3.S2T規格CXL內存模塊的品牌之一，宜鼎國際透過嚴格測試與馳名業界的技術支持服務，協助客戶在現有系統上以最低成本擴展內存，并完成高效部署。

創見M.2固態硬盤MTE480T為符合TCGOpal2.0安全規范的自我加密硬盤(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技術與LBA分層管理的方式進行進階數據保護，保障機密數據安全。創見PCIeM.2固態硬盤MTE480T以112層3DNAND閃存打造，搭載高速PCIeGen4x4接口與強大控制器，帶來前所未有的傳輸效能；創見MTE480T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術以及抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE480T經過嚴格的廠內測試，具備類寬溫特性（-20°C~75°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

創見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIeGen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術與抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE460T經過嚴格的廠內測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據客戶需求提供寬溫規格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

創見MTE452T2固態硬盤搭載PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。