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Apacer/宇瞻 PCIe SSD M.2 PT230-M280

ApacerPT230-M280完全符合PCIegen3x4介面和NVMe1.4規范，提供出色資料傳輸效能。其極致高速的設計，為追求卓越效能的多元應用系統的理想選擇。

Apacer/宇瞻 PCIe SSD M.2 PT230-M242

想提升系統速度以及反應能力？宇瞻PT230-M242滿足當今產業應用對效能的需求。完全符合PCIegen3x4與NVMe1.4標準，提供超低延遲與高速資料傳輸速度，確保系統保持最佳運作效率。 其精巧M.22242外觀尺寸適用于受限空間大小的設備，為嵌入式系統、工業PC與行動運算的明智選擇。無論是針對高工作負載還是即時處理數據，PT230-M242確保長期系統運作順暢與穩定性，讓您能專注于最重要的任務。

Apacer/宇瞻 PCIe SSD M.2 PV230-M242 (B+M Key)

系統經常性延遲與資料傳輸效能不佳，是否造成系統運作效率低落？宇瞻PV230-M242為滿足現今產業應用對于效能的需求。完全符合PCIegen3x2和NVMe1.3標準，提供超低延遲與快速資料傳輸速度，確保系統保持最佳運作效率。 其精巧M.22242外觀尺寸適用于受限空間大小的設備，使其成為嵌入式系統、工業PC和行動運算理想的儲存解決方案選擇。無論是針對高工作負載還是即時處理數據，PV230-M242確保長期系統運作順暢與穩定性—享受頂級效能帶來的流暢使用體驗。

transcend/創見 MTE460T & MTE460T-I

創見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIegen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術與抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE460T經過嚴格的廠內測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據客戶需求提供寬溫規格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

transcend/創見 MTE452T2

創見MTE452T2固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE452T & MTE452T-I

創見MTE452T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE370T & MTE370T-I

創見M.22230固態硬盤MTE370T采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達112層閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE370T采用PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；創見MTE370T固態硬盤經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE352T

創見單面顆粒MTE352T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE352T固態硬盤具備3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE352T具備類寬溫（-20℃~75℃）特性，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662A

創見MTE662AM.2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662A固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級。MTE662A符合TCGOpal2.0規范，數據可進行加密保存與分層管理，確保數據安全性。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662A具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662T2

創見MTE662T2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。