国产精品丝袜黑色高跟丨精品无码成人片一区二区丨免费在线视频你懂的丨国产69精品久久久久孕妇大杂乱丨亚洲最大毛片丨亚洲精品在线视频观看丨日韩激情一区二区三区丨а√天堂中文在线资源库免费观看丨想要视频在线丨国产精品毛片一区丨色播在线精品一区二区三区四区丨激情婷婷六月丨国产suv精品一区二区丨玩弄少妇秘书人妻系列丨亚洲ⅴ国产v天堂a无码二区丨张津瑜国内精品www在线丨激情国产视频丨免费毛片一级丨亚精区在二线三线区别99丨巨大乳做爰视频在线看丨中文字幕av一区中文字幕天堂丨亚洲情综合五月天丨国产视频黄丨丰满熟妇乱又伦精品丨红杏av在线

transcend/創見 MTE460T & MTE460T-I

創見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIegen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術與抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE460T經過嚴格的廠內測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據客戶需求提供寬溫規格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

transcend/創見 MTE452T2

創見MTE452T2固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE452T & MTE452T-I

創見MTE452T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE370T & MTE370T-I

創見M.22230固態硬盤MTE370T采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達112層閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE370T采用PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；創見MTE370T固態硬盤經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE352T

創見單面顆粒MTE352T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE352T固態硬盤具備3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE352T具備類寬溫（-20℃~75℃）特性，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662A

創見MTE662AM.2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662A固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級。MTE662A符合TCGOpal2.0規范，數據可進行加密保存與分層管理，確保數據安全性。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662A具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662T2

創見MTE662T2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE652T2

創見MTE652T2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規范，展現前所未有的傳輸效能。采用最新一代3D閃存，大幅突破單位密度上限，打造高儲存效益。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝提供絕佳耐用性，并內置DRAM高速緩存，加快隨機訪問速度。此外，MTE652T2固態硬盤具備類寬溫(-20°C~75°C)特性，賦予其抗熱耐寒表現，并具備3K抹寫次數的耐用度等級。

transcend/創見 MTE662T & MTE662T-I

創見MTE662T固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE652T & MTE652T-I

創見MTE652T固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE652T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。