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附加AES密鑰保護可以訪問圖書館（需要MBR）身份驗證/權(quán)限控制總共10個用戶帳戶可以單獨設(shè)置權(quán)限

金士頓CanvasGo!PlusmicroSD適合隨時隨地不斷追尋完美拍攝時刻的探險家。憑借高達170MB/秒1 的出眾傳輸速度，CanvasGo!PlusmicroSD卡可以加速流程并提高效率，讓您有更多時間將創(chuàng)意帶到下次探險。憑借U3和V30速度性能，輕松拍攝令人驚嘆的4K超高清視頻，無需擔(dān)心速度緩慢和失幀問題，此外還可以順暢、一致地拍攝快動作照片。CanvasGo!PlusmicroSD支持A2ApplicationPerformanceClass，可在智能手機和平板上加速工作流程并提高應(yīng)用程序性能。利用選配的SD適配器，可以更加方便地使用SD兼容設(shè)備。使用CanvasGo!PlusmicroSD，把整個世界看作畫布，在旅途中帶上您的創(chuàng)意和激情。

工業(yè)3DTLCNAND Optimizedforread-onlyapplications(automotive)orsequential writeintensiveworkload(videorecording)  AEC-Q100-3automotivestandard

SerieNameC-350C-300LC-500C-56IterfaceCFA4.1CFA5.0/CFA6.1comatileIterfaceDataTraferModeTrueIDE/PCcard–UtoUDMA4,MDMA4amPIO6TrueIDE/PCcard–UtoUDMA6,MDMA4amPIO6CoectorCFCTyeIOutlieDimeio36.4x42.8x3.3mmFlahTyeSLCSLCDeityRage32-256MB128MB-1GB512MB-64GB4-64GBDataRetetio10year@lifeegi1year@lifeedEdu......

H2-SL 工業(yè)級SD記憶卡隨機效能表現(xiàn)較以往優(yōu)于SDH1-SL ，特別搭配兼容UHS-I的設(shè)備使用，可展現(xiàn)最佳傳輸速度。除此之外，影片速度等級(VideoSpeedClass)可兼容于常見攝錄像功能或設(shè)備所需的V10,V30規(guī)格，適用于高分辨率或高畫質(zhì)影片錄制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，優(yōu)化4K小檔案的隨機讀寫IOPS效能，IOPS 的讀寫效能至少達到1,900/800 。 H2-SL搭載SD5.1接口9Pin接口設(shè)計，專為50MHzor100MHz最大運作效能而開發(fā)，可在SDMode 和SPIMode間交換使用，亦可向下兼容至SD2.0規(guī)格產(chǎn)品。同時，H2-M 工業(yè)級SD記憶卡能在最低電量下執(zhí)行數(shù)據(jù)偵錯和校正的功能。 

H2-M 工業(yè)級SD記憶卡隨機效能表現(xiàn)較以往優(yōu)于SDH1-M ，特別搭配兼容UHS-I的設(shè)備使用，可展現(xiàn)最佳傳輸速度。除此之外，影片速度等級(VideoSpeedClass)可兼容于常見攝錄像功能或設(shè)備所需的V10,V30規(guī)格，適用于高分辨率或高畫質(zhì)影片錄制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，優(yōu)化4K小檔案的隨機讀寫IOPS效能，IOPS 的讀寫效能至少達到1,900/800 。

CXL內(nèi)存模塊克服了三大瓶頸：1)CPU可用內(nèi)存帶寬受限，2) 內(nèi)存資源利用率低，3)內(nèi)存與其他系統(tǒng)組件間的傳輸延遲。 以下是CXL內(nèi)存模塊的優(yōu)勢：?隨插即享單條64GB大容量：每條內(nèi)存模塊可提供高達64GB的存取容量以及32GB/s帶寬，無需額外的DIMM插槽，即可將內(nèi)存擴充至AI服務(wù)器所需的容量。?內(nèi)存池技術(shù)，方便資源共享：藉由內(nèi)存池技術(shù)，同一層架中不同服務(wù)器的CPU、加速器等操作數(shù)件可共享內(nèi)存資源，減少資源冗余、有效提升系統(tǒng)效率。?優(yōu)化的通訊協(xié)議與硬件架構(gòu)：透過CXL.io與CXL.mem協(xié)議、以及PCIeGen5x8接口，減少計算機零件之間因不同協(xié)議與接口造成的復(fù)雜性與延遲，為AI和機器學(xué)習(xí)賦能。作為率先推出E3.S2T規(guī)格CXL內(nèi)存模塊的品牌之一，宜鼎國際透過嚴(yán)格測試與馳名業(yè)界的技術(shù)支持服務(wù)，協(xié)助客戶在現(xiàn)有系統(tǒng)上以最低成本擴展內(nèi)存，并完成高效部署。

創(chuàng)見M.2固態(tài)硬盤MTE480T為符合TCGOpal2.0安全規(guī)范的自我加密硬盤(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技術(shù)與LBA分層管理的方式進行進階數(shù)據(jù)保護，保障機密數(shù)據(jù)安全。創(chuàng)見PCIeM.2固態(tài)硬盤MTE480T以112層3DNAND閃存打造，搭載高速PCIeGen4x4接口與強大控制器，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE480T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)以及抗硫化電阻，強化關(guān)鍵組件保護，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE480T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，具備類寬溫特性（-20°C~75°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIeGen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)與抗硫化電阻，強化關(guān)鍵組件保護，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE460T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據(jù)客戶需求提供寬溫規(guī)格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤搭載PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，達到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。