SLC、MLC、TLC、QLC是四種閃存芯片架構(gòu)，有諸如3-bit MLC,3-bit TLC等多種延伸，在速度和壽命上都有所不同。
NAND閃存是近年出現(xiàn)的一種比硬盤更好的存儲(chǔ)方案。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存芯片在
SSD中起到緩沖的作用，對(duì)SSD的整體性能有著很大的影響。NAND閃存是影響SSD的最關(guān)鍵因素。
目前主流的SSD中主要采用的是MLC NAND閃存芯片。與SLC閃存芯片，但隨著技術(shù)的發(fā)展，如今采用TCL NAND閃存芯片的SSD也已經(jīng)出現(xiàn)，彌補(bǔ)了多線程隨機(jī)寫入能力不足。
TLC架構(gòu)在2009年問(wèn)世，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3位元，成本進(jìn)一步大幅降低。如同MLC技術(shù)出現(xiàn)的時(shí)候，在NAND Flash知名廠商?hào)|芝引發(fā)戰(zhàn)爭(zhēng)后，三星電子變迅速加入戰(zhàn)團(tuán)，使得整個(gè)TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)到終端設(shè)備上，但直到2012年10月份，第一款采用TCL NAND閃存芯片的SSD才面試，拉起了三種芯片在SSD競(jìng)爭(zhēng)的大幕。
TLC芯片雖然儲(chǔ)存容量變大，成本低廉許多，但因?yàn)閴勖⑿艿确矫嬉泊蟠蛘劭郏虼嗽诩夹g(shù)發(fā)展之初其僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。
固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)門檻較高，對(duì)于NAND Flash效能講求高速且不出錯(cuò)等應(yīng)用產(chǎn)品，雖然三星如今已經(jīng)推出了TCL NAND閃存芯片的SSD，但是具體的表現(xiàn)還要經(jīng)得起市場(chǎng)的檢驗(yàn)。下面我們來(lái)看一下三種架構(gòu)芯片的區(qū)別：
首先看看SLC、MLC、TLC、QLC的區(qū)別
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但是執(zhí)行效率高，最大的特點(diǎn)就是速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴（約MLC 3倍以上的價(jià)格），約10萬(wàn)次擦寫壽命。其在企業(yè)級(jí)SSD上比較常見(jiàn)，例如經(jīng)典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盤上也有使用。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四個(gè)充電至，因此要比SLC需要更多的訪問(wèn)時(shí)間。其最大特點(diǎn)就是速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命。如今大多數(shù)的消費(fèi)機(jī)SSD都是使用的MLC。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù)，共八個(gè)充電值，也有Flash廠家叫8LC，最大特點(diǎn)就是速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒(méi)有廠家能做到1000次。，通常用在U盤或者存儲(chǔ)卡這類移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備上。
目前，QLC = Quad-Level Cell架構(gòu)以及出現(xiàn)，即4bit/cell，支持16充電值，速度最慢壽命最短，目前中技術(shù)上在研發(fā)階段，但是intel、三星電子等廠商都已經(jīng)取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。但在SSD應(yīng)用中目前仍不現(xiàn)實(shí) 。
SSD固態(tài)硬盤發(fā)展前景巨大，但是對(duì)于企業(yè)級(jí)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，目前出現(xiàn)大規(guī)模的應(yīng)用尚不現(xiàn)實(shí) ，畢竟更加注重?cái)?shù)據(jù)安全、性價(jià)比等方面的企業(yè)用戶選擇SSD并不劃算。當(dāng)然對(duì)于消費(fèi)者用戶來(lái)說(shuō)，他們可能會(huì)率先享受NAND 閃存給用戶帶來(lái)的超快體驗(yàn)，值得關(guān)注2015年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)。
