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transcend/創(chuàng)見Half-Slim HSD460I

創(chuàng)見 HSD460I Half-Slim固態(tài)硬盤采用112層3D NAND閃存打造，搭載主流的SATA III 6Gb/s傳輸接口，具備優(yōu)異的傳輸效能。創(chuàng)見導(dǎo)入邊緣粘合(Corner Bond)技術(shù)以及抗硫化電阻，強(qiáng)化關(guān)鍵組件保護(hù)，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。在符合JEDEC MO-297規(guī)格下，HSD460I經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量測試，具備寬溫特性（-40℃~85℃），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運(yùn)作，展現(xiàn)高度可靠性，適用于執(zhí)行高密集度的應(yīng)用程序及空間有限的移動運(yùn)算裝置，包括工控系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、移動裝置與POS終端機(jī)。

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外觀
尺寸	54 mm x 39.8 mm x 4 mm (2.13" x 1.57" x 0.15")
重量	9 g (0.32 oz)
外觀尺寸	Half-slim (MO-297)
界面
總線接口	SATA III 6Gb/s
存儲
容量	64 GB/ 128 GB/ 256 GB/ 512 GB/ 1 TB/ 2 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	5V±5%
工作溫度	寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	1.5 瓦
耗電量 (IDLE)	0.4 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達(dá) 560 MB/s 寫入: 高達(dá) 500 MB/s
4K隨機(jī)讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達(dá) 45,000 IOPS 寫入: 高達(dá) 80,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時(shí)
寫入兆位元組(TBW)	高達(dá) 1,870 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	1.75 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負(fù)載可能與實(shí)際工作負(fù)載不同，實(shí)際工作負(fù)載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。