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Transcend/創(chuàng)見 PCIe M.2 SSDs MTE652T2

創(chuàng)見MTE652T2固態(tài)硬盤搭載PCIe Gen 3 x4接口，符合NVMe 1.3規(guī)范，展現(xiàn)前所未有的傳輸效能。采用最新一代3D閃存，大幅突破單位密度上限，打造高儲(chǔ)存效益。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(Corner Bond)工藝提供絕佳耐用性，并內(nèi)置DRAM高速緩存，加快隨機(jī)訪問速度。此外，MTE652T2固態(tài)硬盤具備類寬溫(-20°C ~ 75°C)特性，賦予其抗熱耐寒表現(xiàn)，并具備3K抹寫次數(shù)的耐用度等級。

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規(guī)格

外觀
尺寸	80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2規(guī)格	2280-D2-M (雙面的)
外觀尺寸	M.2 2280
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen3 x4
存儲(chǔ)
容量	64 GB/ 128 GB/ 256 GB/ 512 GB
Flash類型	3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
儲(chǔ)存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動(dòng) (靜止)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	3.0 瓦
耗電量 (IDLE)	0.6 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達(dá) 2,100 MB/s 寫入: 高達(dá) 1,250 MB/s
4K隨機(jī)讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達(dá) 190,000 IOPS 寫入: 高達(dá) 290,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時(shí)
寫入兆位元組(TBW)	高達(dá) 1,080 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	2 (3 年)
備注	傳輸速度會(huì)因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負(fù)載可能與實(shí)際工作負(fù)載不同，實(shí)際工作負(fù)載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。
保修
安規(guī)認(rèn)證	CE/ UKCA/ FCC/ BSMI
保修	三年有限保修