閃存也是有一定壽命的,并不是長生不老的。當一個閃存塊接近或者超出其最大擦寫次數時,就會導致存儲單元永久性損傷,不能夠再使用。但是伴隨著閃存工藝不斷向前發展,晶體管的尺寸越來越小,擦寫次數也變得越來越少。
但是我們一定要知道閃存中的存儲單元先天就有一些是壞的,或者說是不穩定的,即出廠壞塊。并且隨著閃存的不斷使用,壞的存儲單元越來越多。所以,用戶寫入閃存的數據,必須要有ECC糾錯碼保護,這樣即使其中的一些比特發生反轉,讀取的時候也能通過ECC糾正過來。
從閃存讀取原理來看,當你讀取一個閃存頁(Page)的時候,閃存塊當中未被選取的閃存頁的控制極都會加一個正電壓,以保證未被選中的MOS管是導通的。這樣問題就來了,頻繁地在一個MOS管控制極加正電壓,就可能導致電子被吸進浮柵極,形成輕微寫,從而最終導致比特翻轉。
除了讀干擾會導致比特翻轉,寫干擾(Program Disturb)也會導致比特翻轉。
柵極閃存存儲電荷的是導體,因此存儲單元之間存在耦合電容,這會使存儲單元內的電荷發生意外變化,最終導致數據讀取錯誤。
存儲在閃存存儲單元的電荷,如果長期不使用,就會發生電荷泄漏。這同樣會導致非永久性損傷,擦除后閃存塊還能使用。